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检测执行标准信息一览：
标准简介：本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0cm-2~105cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。
标准号：GB/T 1554-2009
标准名称：硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
英文名称：Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
标准状态：现行
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
中国标准分类号（CCS）：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
国际标准分类号（ICS）：电气工程>>29.045半导体材料
替代以下标准：替代GB/T 1554-1995
起草单位：峨嵋半导体材料厂
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布单位：国家质量监督检验检疫.
检测流程步骤
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